電荷泵也稱作電壓倍增器，較小的交流或直流電壓通過電荷泵可以轉(zhuǎn)變?yōu)椴煌娖降闹绷麟妷?。為了提高輸出電壓和轉(zhuǎn)換效率，采用開啟電壓低且導(dǎo)通電阻小的肖特基二極管。但由于肖特基管需要特殊的制作工藝，工藝制備上的不通用性以及批次間性能的不夠一致性，在很大程度上限制了電荷泵低成本制作來被廣泛使用。本項(xiàng)研究從器件工作原理出發(fā)，提出并分析了低閾值MOS晶體管方案電荷泵。論文依據(jù)電路理論，以單位充電單元作為基本部件討論MOS型電荷泵的基本原理，推導(dǎo)輸出電壓的解析表達(dá)式；從優(yōu)化性能的角度，研究輸出特性，電容大小以及拓?fù)浼?jí)數(shù)等設(shè)計(jì)控制參數(shù)之間的關(guān)系；依據(jù)器件物理，推導(dǎo)針對(duì)不同要求指標(biāo)的數(shù)學(xué)控制表達(dá)式。電荷泵諸性能分析：輸出電壓管襯底連接方式一般的電路中，為避免漏電都將源漏與襯底的結(jié)反偏，即襯底連接到系統(tǒng)最低電位。但是為了滿足不同輸出電壓需求，電荷泵中NMOS襯底連接方式分為接最低電位的普通方式和接源端的去襯偏方式。當(dāng)需要較高電壓輸出時(shí)，襯底連接采用去襯偏方式，以避免體效應(yīng)引起的管上壓降增大而帶來的電壓提高限制。會(huì)明顯導(dǎo)致輸出電壓降低和充電時(shí)間增加，降低了電路性能。當(dāng)需要較低電壓輸出時(shí)，襯底采用普通連接方式；避免了去襯偏連接時(shí)反向充電過程中襯底與漏端之間正向pn結(jié)的漏電損耗，從而提高了轉(zhuǎn)換效率。因?yàn)镹MOS管器件電容的反向漏電影響了充電效果。當(dāng)需要高電壓輸出但對(duì)功耗要求不嚴(yán)格時(shí)，襯底應(yīng)該采用接源端的去襯偏連接；而當(dāng)應(yīng)用在低功耗而輸出電壓不高時(shí)，襯底應(yīng)該采用接最低電位的普通連接。在盡可能選擇低閾值MOS管的基礎(chǔ)上，可以通過配置寬長(zhǎng)比和充電級(jí)數(shù)來使輸出電壓滿足預(yù)期要求。  水泵代理請(qǐng)找上錦